‘어닝쇼크’ 삼성전자, 반도체 앞세워 위기 돌파

국내 재계순위 1위의 입지를 지키고 있지만 연이은 어닝쇼크에 충격을 받은 삼성전자가 여전히 세계적인 영향력을 과시하고 있는 반도체 부문의 신제품 개발을 통해 활로 개척에 나서고 있다.

삼성전자는 지난 23일, 20나노 공정을 적용한 차세대 ‘8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)’ 모바일 D램 양산을 선언했다. 모바일 D램의 ‘20나노 시대’와 ‘4기가바이트(GB) 시대’가 본격화 된 것이다.

 

6Gb 양산 3개월 만에 ‘또’ 업그레이드

‘20나노 8기가비트 LPDDR4’ 모바일 D램은 1기가바이트 (8Gb = 1GB) 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4기가바이트를 구성할 수 있는 제품으로 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서도 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있다.

 

‘8기가비트 LPDDR4’는 삼성전자가 독자 개발한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) 기술로 일반 PC D램(1,600Mb/s) 보다 2배 빠른 3,200Mb/s로 데이터를 처리해 UHD급의 동영상과 2천만화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할 수 있다.

 

삼성전자는 지난 9월, 20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램을 양산한지 3개월 만에 ‘8기가비트 LPDDR4’ 양산에 돌입하며, 글로벌 모바일 고객들에게 한 차원 높은 ‘초고속, 초절전, 고용량’ 솔루션을 제공할 수 있게 되었다.

 

삼성전자는 2014년에 글로벌 모바일기기 제조업체들의 하이엔드(High-End) 제품 출시에 맞춰 2기가·3기가바이트 LPDDR4 D램을 동시에 공급하고, 2015년에는 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급해 업계 최대의 라인업을 더욱 확대할 예정이다.

 

삼성전자는 현재 업계에서 유일하게 20나노 공정을 적용해 서버용, 모바일용 8기가비트 D램을 생산하고 있다. 또한 향후 20나노 D램 라인업의 생산 비중을 더욱 높여 사업 위상을 강화하고, 프리미엄D램 시장의 성장세를 지속적으로 주도해 나갈 계획이다.

 

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “8기가비트 모바일 D램 양산으로 고객들이 차세대 플래그십 모바일 기기를 적기에 출시하는 데 크게 기여하게 되었다”며, “향후 글로벌 고객들과 기술 협력을 강화해 새로운 OS 환경에 최적화된 D램 솔루션을 한 발 앞서 제공할 것”이라고 강조했다.

 

‘CES2015’ 혁신상 싹쓸이로 위상 입증

한편 삼성전자는 ‘4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램’으로 오는 1월 6일부터 9일까지 미국 라스베이거스에서 열리는 ‘CES 2015(Consumer Electronics Show)’에서 혁신상을 수상할 것으로 전해졌다.

 

이미 지난 2013년과 2014년, ‘2GB LPDDR3’과 ‘3GB LPDDR3’로 혁신상을 수상했던 삼성전자는 메모리 업계에서는 유일하게 모바일D램으로 3년 연속 혁신상을 수상하며 차별화된 기술력을 인정받게 됐다.

 

이번 ‘CES 2015’에서 총 36개에 이르는 혁신상을 수상하게 되는 삼성전자는 반도체 부문에서 ‘4기가바이트 LPDDR4 모바일 D램’ 외에도 사용 편의성을 극대화한 1테라바이트(TB) 휴대용 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) ‘T1’, 최고 성능과 사용연한을 보증하는 2세대 V낸드 기반의 ‘850 PRO’SSD 등 4개 제품이 혁신상을 받게 된다.

 

삼성전자는 반도체 부문은 물론 가전제품과 스마트폰 등 다양한 상품군을 총 망라해 4년 연속 최고혁신상을 수상한 TV부문에서 11개의 혁신상을 받는 등 세계적인 위상을 재확인 한 만큼 ‘CES 2015’에서 대형 부스를 마련하고 혁신상 수상제품들을 비롯해 세계 소비가전 업계를 선도하는 기기와 기술들을 선보일 계획이다.

2014년 12월 26일 <토요경제신문>